国产场效应管 150N03 TO-252 30V/150A MOS管主要参数 MOSFET大全
国产场效应管 150N03的管脚图:
国产场效应管 150N03的应用领域:
电池保护
负载开关
不间断电源
国产场效应管 150N03的极限参数:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 155 | A |
漏极电流-连续(TC=100℃) | 110 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 310 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 246 | mJ |
IAS | 雪崩电流 | 70.2 | A |
PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 89.3 | W |
TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~175 | |
RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.4 |
国产场效应管 150N03的电特性:
符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 2.2 | 3 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 3.2 | 4 | |||
VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 2 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 10 | ||||
IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
Qg | 栅极电荷 | 56.9 | nC | ||
Qgs | 栅源电荷密度 | 13.8 | |||
Qgd | 栅漏电荷密度 | 23.5 | |||
Ciss | 输入电容 | 5935 | pF | ||
Coss | 输出电容 | 725 | |||
Crss | 反向传输电容 | 538 | |||
td(on) | 开启延迟时间 | 20.1 | ns | ||
tr | 开启上升时间 | 6.3 | |||
td(off) | 关断延迟时间 | 124.6 | |||
tf | 开启下降时间 | 15.8 |
国产场效应管 150N03的封装外形图: