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电池保护用MOS管 90N03 TO-252
电池保护用MOS管 90N03 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:90N03
产品封装:TO-252
产品标题:电池保护用MOS管 90N03 TO-252 30V/90A 低内阻MOS 贴片场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


电池保护用MOS管 90N03 TO-252 30V/90A 低内阻MOS 贴片场效应管



贴片场效应管 90N03的管脚图:

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贴片场效应管 90N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=90A

  • RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-252



贴片场效应管 90N03的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



贴片场效应管 90N03的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)90A
漏极电流-连续(TC=100℃)52.8
IDM漏极电流-脉冲190
PD总耗散功率 TC=25℃54W
总耗散功率 TA=25℃27
EAS单脉冲雪崩能量225mJ
TSTG存储温度-55~+175
TJ工作结温-55~+175
RθJC
结到管壳的热阻2.8℃/W



贴片场效应管 90N03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3032
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


3.95.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


4.76
VGS(th)
栅极开启电压11.42.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=30V,VGS=0V



1μA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
54
nC
Qgs栅源电荷密度
8.5
Qgd栅漏电荷密度
10.2
Ciss输入电容
2504
pF
Coss输出电容
323
Crss反向传输电容
283
td(on)开启延迟时间
11.4
ns
tr开启上升时间
20.4
td(off)关断延迟时间
41
tf
开启下降时间
25



贴片场效应管 90N03的封装外形尺寸图:

blob.png


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