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贴片国产MOS管 80N03 TO-252
贴片国产MOS管 80N03 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:80N03
产品封装:TO-252
产品标题:贴片国产MOS管 80N03 TO-252 锂电保护用MOS管 大功率场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片国产MOS管 80N03 TO-252 锂电保护用MOS管 大功率场效应管



锂电保护用MOS管 80N03的符号图:

blob.png



锂电保护用MOS管 80N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



锂电保护用MOS管 80N03的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)80A
漏极电流-连续(TC=75℃)50
IDM漏极电流-脉冲240
EAS单脉冲雪崩能量56mJ
IAS雪崩电流15A
PD总耗散功率 TC=25℃46W
总耗散功率 TA=25℃2.72
TSTG存储温度-55~175
TJ工作结温-55~175
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻2.72



锂电保护用MOS管 80N03的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3032
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


46.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


6.18.5
VGS(th)
栅极开启电压11.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=30V,VGS=0V



1μA
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
33.7
nC
Qgs栅源电荷密度
8.5
Qgd栅漏电荷密度
7.5
Ciss输入电容
1614
pF
Coss输出电容
245
Crss反向传输电容
215
td(on)开启延迟时间
7.5
ns
tr开启上升时间
14.5
td(off)关断延迟时间
35.2
tf
开启下降时间
9.6



锂电保护用MOS管 80N03的封装外形尺寸:

blob.png


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