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贴片场效应管型号 20N02 TO-252
贴片场效应管型号 20N02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:20N02
产品封装:TO-252
产品标题:场效应管20N02 TO-252 MOS管型号大全 20N02 MOS管引脚
咨询热线:0769-89027776

产品详情


场效应管20N02 TO-252 MOS管型号大全 20N02 MOS管引脚



MOS管型号大全 20N02的特点:

  • VDS=20V

  • ID=20A

  • RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-252



MOS管型号大全 20N02的应用:

  • 太阳能路灯

  • 负载开关

  • 不间断电源



MOS管型号大全 20N02的电特性:

(如无特殊要求,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压20V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续20A
IDM漏极电流-脉冲50
PD总耗散功率 TC=25℃20.8W
总耗散功率 TA=25℃2
EAS单脉冲雪崩能量8.1mJ
IAS雪崩电流12.7A
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻6



MOS管型号大全 20N02的电特性:

(如无特殊要求,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2022
V
RDS(ON)

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7.6A


1215

静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=3.5A


15.520

静态漏源导通电阻

VGS=1.8V,ID=2.5A


20.535
VGS(th)
栅极开启电压0.50.651V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=20V,VGS=0V



1uA
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
11.05
nC
Qgs栅源电荷密度
1.73
Qgd栅漏电荷密度
3.1
Ciss输入电容
888
pF
Coss输出电容
133
Crss反向传输电容
117
td(on)开启延迟时间
7
ns
tr开启上升时间
46
td(off)关断延迟时间
30
tf
开启下降时间
52



MOS管型号大全 20N02的封装外形尺寸图:

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