MOS管60N03 TO-252 贴片场效应管 60N03
MOS管 60N03的引脚图:
MOS管 60N03的应用领域:
负载开关
MOS管 60N03的极限值(除非有特殊要求,TA=25℃):
漏极-源极电压 VDSS:30V
栅极-源极电压 VGSS:±20V
漏极电流-连续(TC=25℃) ID:60A
漏极电流-连续(TC=100℃) ID:37A
功耗(TC=25℃) PD:54W
功耗(TC=100℃) PD:21W
结温/存储温度范围 TJ/TSTG:-55~150℃
MOS管 60N03的电特性(除非有特殊要求,TA=25℃):
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 30 | V | ||
栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1 | 1.7 | 3 | |
栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=20V,VGS=0V | 1 | uA | ||
静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=15A | 8.5 | 10 | mΩ | |
VGS=4.5V,ID=15A | 12 | 15 | ||||
输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=30V,f=1MHz | 920 | pF | ||
输出电容 | Coss | 187 | ||||
反向传输电容 | Crss | 130 | ||||
开启延迟时间 | td(on) | VDD=15V,RL=30Ω ID=15A,VGS=10V RG=6Ω | 15 | ns | ||
开启上升时间 | tr | 25 | ||||
关断延迟时间 | td(off) | 60 | ||||
开启下降时间 | tf | 17 | ||||
栅源电荷密度 | Qgs | VDS=15V,VGS=10V,ID=15A | 5 | nC | ||
栅漏电荷密度 | Qgd | 6.5 |
MOS管 60N03的封装尺寸图: