高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET
高压功率MOS管 FIR9N65LG的引脚图：
高压功率MOS管 FIR9N65LG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 650 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | +30 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 9 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 18 | |
| 功耗 | PD | 55 | W |
| 结温 | TJ | +150 | ℃ |
| 存储温度 | TSTG | -55~+150 |
高压功率MOS管 FIR9N65LG的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=650V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | VGS=10V,ID=4.5A | 1 | Ω | ||
| VGS(TH) | 栅极开启电压 | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V |
高压功率MOS管 FIR9N65LG的封装外形尺寸：
扫二维码进入手机网站