微触发单向可控硅 MCR100-6 SOT-23-3L 贴片可控硅
贴片可控硅 MCR100-6的特点:
PNPN 四层结构的硅单向器件
门极灵敏触发
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
贴片可控硅 MCR100-6的引脚图:
贴片可控硅 MCR100-6的应用:
脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动
贴片可控硅 MCR100-6的极限值:
TCASE=25℃
符合 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 400 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 0.8 | A |
IT(AV) | 通态平均电流 | 0.5 | |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 8 | |
I2t | I2t 值 | 0.32 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 0.2 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 0.5 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.1 | |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作温度 | -40~+110 |
贴片可控硅 MCR100-6的电特性:
符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | 10 | 80 | μA | |
VGT | 门极触发电压 | 0.8 | V | ||
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | |||
IH | 维持电流 | 3 | mA | ||
IL | 擎住电流 | 4 | |||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 10 | V/μs | ||
VTM | 通态压降 | 1.5 | V | ||
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | 5 | μA | ||
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃ | 100 |
贴片可控硅 MCR100-6的封装外形尺寸: