MMBF170 SOT-23 60VN沟道MOS管 贴片低压场效应管
N沟道MOS管 MMBF170的引脚图：
N沟道MOS管 MMBF170的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 60 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | IDR | 500 | mA |
| 漏极电流-脉冲 | IDRM | 800 | |
总耗散功率 (TA=25℃) | PD | 225 | mW |
总耗散功率 (超过25℃递减) | 1.8 | mW/℃ | |
| 热阻 | RθJA | 417 | ℃/W |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 储存温度 | Tstg | -55~+150 |
N沟道MOS管 MMBF170的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 60 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.8 | 3 | ||
漏极-源极导通电压 ID=50mA,VGS=5V | VDS(ON) | 0.375 | |||
漏极-源极导通电压 ID=500mA,VGS=10V | 3.75 | ||||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.5 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=BVDSS | IDSS | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=0.8BVDSS,TA=125℃ | 500 | ||||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±10 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=200mA,VGS=10V | RDS(ON) | 5 | Ω | ||
| 输入电容 | CISS | 60 | pF | ||
| 共源输出电容 | COSS | 25 | |||
| 开启时间 | t(on) | 20 | ns | ||
| 关断时间 | t(off) | 40 | |||
| 反向恢复时间 | trr | 400 |
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