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55VN沟道场效应管 GMP3205 TO-220
55VN沟道场效应管 GMP3205 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMP3205
产品封装:TO-220
产品标题:功率场效应管 GMP3205 TO-220 55V中低压MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


功率场效应管 GMP3205 TO-220 55V中低压MOSFET



功率场效应管 GMP3205的内部结构图:

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功率场效应管 GMP3205的特点:

  • 优秀沟槽技术

  • 超低导通电阻

  • 低栅电荷密度

  • 快速开关能力

  • 高工作温度范围



功率场效应管 GMP3205的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS55V
栅极-源极电压VGS±20

漏极电流-连续

TC=25℃

ID110A

漏极电流-连续

TC=100℃

88
漏极电流-脉冲
IDM420

总耗散功率

TC=25℃

PTOT200W
雪崩能量EAS506mJ
热阻RθJC0.85℃/W
结温/储存温度TJ,Tstg-55~175



功率场效应管 GMP3205的电特性:

如无特殊说明,温度为25℃

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS55

V
栅极开启电压VGS(th)2
4
零栅压漏极电流
IDSS

1uA
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=55A,VGS=10V

RDS(ON)
68
源极-漏极电流ISD

110A
源极-源极电流(脉冲)ISDM

380
内附二极管正向压降VSD

1.2V
栅极电阻Rg
1.6
Ω
输入电容
CISS
3670
pF
共源输出电容COSS
380
栅极电荷密度
Qg
73
nC
栅源电荷密度Qgs
19
栅漏电荷密度Qgd
25
开启时间
t(on)
30
ns
关断时间t(off)
88


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