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20VN沟道场效应管 GM2020E SOT-23
20VN沟道场效应管 GM2020E SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM2020E
产品封装:SOT-23
产品标题:贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管



GM2020E的脚位图:

blob.png



GM2020E的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS20V
栅极-源极电压
VGS±6
漏极电流-连续
ID0.9A
漏极电流-脉冲IDM1.4
总耗散功率
PD370mW
结温Tj150
存储温度Tstg-55~+150



GM2020E的电性能:

(如无特殊说明,温度为25℃)

参数
符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS20

V
栅极开启电压VGS(th)0.45

0.85

内附二极管正向压降VSD

1.1
零栅压漏极电流
IDSS

100nA
栅极漏电流
IGSS

±5uA

静态漏源导通电阻

ID=0.55A,VGS=4.5V

RDS(ON)
220310

静态漏源导通电阻

ID=0.45A,VGS=2.5V


260360

静态漏源导通电阻

ID=0.35A,VGS=1.8V


320460
输入电容CISS
50
pF
输出电容COSS
13
开启时间t(on)
22
ns
关断时间t(off)
700



GM2020E的外形封装尺寸:

blob.png


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