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30VN沟道场效应管 GM3418 SOT-23
30VN沟道场效应管 GM3418 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM3418
产品封装:SOT-23
产品标题:GM3418 SOT-23 场效应晶体管 N沟道MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


GM3418 SOT-23 场效应晶体管 N沟道MOS管



GM3418的极限值:

  • 漏极-源极电压:30V

  • 栅极-源极电压:±12V

  • 漏极电流-连续:3.8A

  • 漏极电流-脉冲:15A

  • 总耗散功率:1250mW

  • 结温:150℃

  • 存储温度:-55~+150℃




GM3418的电特性:

特性参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS30

V
栅极开启电压VGS(th)0.511.5
内附二极管正向压降VSD

1

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=30V

IDSS


1uA

零栅压漏极电流

VGS=0V,VDS=30V,TA=55℃



5
栅极漏电流
IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=3.8A,VGS=10V

RDS(ON)


55

静态漏源导通电阻

ID=3.5A,VGS=4.5V



65

静态漏源导通电阻

ID=1A,VGS=2.5V



85
输入电容Ciss
235
pF
输出电容Coss
35
开启时间t(on)
3.5
ns
关断时间t(off)
17.5


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