30V NMOS 增强型场效应管 GM3406 SOT-23
GM3406的极限值:
特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
漏极-源极电压 | BVDSS | 30 | V |
栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
漏极电流-连续 | ID | 3.6 | A |
漏极电流-脉冲 | IDM | 15 | |
总耗散功率 | PD | 1400 | mW |
结温 | Tj | 150 | ℃ |
存储温度 | Tstg | -55~+150 |
GM3406的电特性:
特性参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 | V | ||
栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 3 | ||
内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | |||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=24V | IDSS | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=24V,TA=55℃ | 5 | ||||
栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 ID=3.6A,VGS=10V | RDS(ON) | 50 | 65 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 ID=2.8A,VGS=4.5V | 75 | 105 | |||
输入电容 | Ciss | 288 | pF | ||
输出电容 | Coss | 57 | |||
开启时间 | t(on) | 6 | ns | ||
关断时间 | t(off) | 18 |