ULN2003H 达林顿芯片 大芯片达林顿驱动IC 2003H 国产替换达林顿
大芯片达林顿驱动IC ULN2003H 的概述:
ULN2003H 是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由7组NPN达林顿管组成的,它的高压输出特性和阴极钳位二极管可以转换感应负载。单个达林顿对的集电极电流是250mA。达林顿管并联可以承受更大的电流。此电路主要应用于继电器驱动器,字锤驱动器,灯驱动器,显示驱动器(LED气体放电),线路驱动器和逻辑驱动器。
ULN2003H 的每组达林顿都有一个2.7kΩ串联电阻,可以直接和TTL或5V CMOS装置。
大芯片达林顿驱动IC ULN2003H 的特点:
500mA额定集电极电流(单个输出)
最高耐压电压:50V
输入和各种逻辑类型兼容
大芯片达林顿驱动IC ULN2003H 的应用:
继电器驱动器
字锤驱动器
灯驱动器
逻辑驱动器
大芯片达林顿驱动IC ULN2003H 的极限值:
除非有特殊要求,TA=25℃
参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
集电极和发射极之间的电压 | VCE | 50 | V |
输入电压 | VI | 30 | |
集电极电流峰值 | IC | 500 | mA |
总的发射端电流 | IOK | 1500 | |
工作温度 | Topr | -20~+85 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -65~+150 |
大芯片达林顿驱动IC ULN2003H 的电特性:
除非有特殊要求,TA=25℃
参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
VI(ON) 输入电压 | VCE=2V,IC=200mA | 2.4 | V | ||
VCE=2V,IC=250mA | 2.7 | ||||
VCE=2V,IC=300mA | 3 | ||||
VCE(SAT) 集电极-发射极饱和电压 | II=250uA,IC=100mA | 0.9 | 1.1 | V | |
II=350uA,IC=200mA | 1 | 1.3 | |||
II=500uA,IC=350mA | 1.2 | 1.6 | |||
ICEX 集电极切断电流 | VCE=50V,II=0 | 50 | uA | ||
VCE=50V,II=0,Tamb=70℃ | 100 | ||||
VF 前进钳位电压 | IF=350mA | 1.7 | 2 | V | |
II(OFF) 关闭状态输出电流 | VCE=50V,IC=500mA,Tamb=70℃ | 50 | 65 | uA | |
II 输入电流 | VI=3.85V | 0.95 | 1.35 | mA | |
IR 反向钳位电流 | VR=50V | 50 | uA | ||
VR=50V,Tamb=70℃ | 100 | ||||
CI 输入电容 | VI=0,f=1MHz | 15 | 25 | pF | |
tPLH 传播延迟时间,低电平到高电平输出 | 0.25 | 1 | us | ||
tPHL 传播延迟时间,高电平到低电平输出 | 0.25 | 1 | us |