4606 贴片MOS管 4606 SOP-8 N+P沟道场效应管
4606的描述:
4606是30V N+P沟道互补增强模式场效应管,封装形式为SOP-8,用于高功率DC/DC转换和功率开关,适用于作负载开关或脉宽调制应用。
4606的脚位图:
4606的极限值:
参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |
N-channel | P-channel | |||
漏极-源极电压 | VDSS | ±30 | V | |
漏极-源极电压 | VGSS | ±20 | ||
漏极电流-连续 TA=25℃ | ID | 6.9 | -6 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | 5.8 | -5 | ||
漏极电流-脉冲 | IDM | ±30 | ||
总耗散功率 TA=25℃ | PD | 2 | W | |
总耗散功率 TA=70℃ | 1.44 | |||
结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~+150 | ℃ |
4606的电特性(N沟道):
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 30 | V | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V | IDSS | 1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
栅极漏电流 | IGSS | 100 | nA | ||
栅极开启电压 | VGS(th) | 1 | 1.9 | 3 | V |
静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6.9A | RDS(ON) | 22.5 | 28 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6.9A,TJ=125℃ | 31.3 | 38 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 34.5 | 42 | |||
正向跨导 | gfs | 10 | 15.4 | S | |
输入电容 | Ciss | 680 | pF | ||
输出电容 | Coss | 102 | |||
反向传输电容 | Crss | 77 | |||
栅源电荷密度 | Qgs | 1.82 | nC | ||
栅漏电荷密度 | Qgd | 3.2 | |||
开启延迟时间 | td(on) | 4.6 | ns | ||
开启上升时间 | tr | 4.1 | |||
关断延迟时间 | td(off) | 20.6 | |||
开启下降时间 | tf | 5.2 |
4606的电特性(P沟道):
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -30 | V | ||
零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃ | -5 | ||||
栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
栅极开启电压 | VGS(td) | -1.2 | -2 | -2.4 | V |
静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A | RDS(ON) | 28 | 35 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A,TJ=125℃ | 37 | 45 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 44 | 58 | |||
正向跨导 | gfs | 13 | S | ||
输入电容 | Ciss | 920 | pF | ||
输出电容 | Coss | 190 | |||
反向传输电容 | Crss | 122 | |||
栅源电荷密度 | Qgs | 2.7 | nC | ||
栅漏电荷密度 | Qgd | 4.5 | |||
开启延迟时间 | td(on) | 7.7 | ns | ||
开启上升时间 | tr | 5.7 | |||
关断延迟时间 | td(off) | 20.2 | |||
开启下降时间 | tf | 9.5 |