20V双N沟道场效应管 GM8205D SOT-26 中低压mos管 国产mosfet
GM8205D的极限值：
| 特性参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 5 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 20 | |
| 总耗散功率 | PTOT | 1.25 | W |
| 热阻 | RθJA | 100 | ℃/W |
| 结温/存储温度 | TJ,Tstg | -55~150 | ℃ |
GM8205D的应用：
笔记本电源管理
便携式设备
电池电源系统
直流/直流变换
负载开关应用
GM8205D的电特性：
（如无特殊说明，温度为25℃）
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.5 | 1 | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | uA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
| 静态漏源导通电阻(ID=5A,VGS=4.5V) | RDS(ON) | 20 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻(ID=4A,VGS=2.5V) | 35 | 40 | |||
| 内附二极管正向压降 | VSD | 1.2 | V | ||
| 输入电容 | Ciss | 800 | pF | ||
| 共源输出电容 | Coss | 155 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 125 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 1.2 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 1.9 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 8 | ns | ||
| 开启上升时间 | tr | 10 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 18 | |||
| 开启下降时间 | tf | 5 |
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