1A高洁温可控硅 Z0107 SOT-223-3L 贴片式双向可控硅 四象限晶闸管
1A高洁温可控硅 Z0107的产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:SOT-223-3L
1A高洁温可控硅 Z0107的应用领域:
Z0107双向可控硅应用于:加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等。
1A高洁温可控硅 Z0107的极限参数(TCASE=25℃):
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM:600/800V
通态均方根电流 IT(RMS):1A
通态不重复浪涌电流 ITSM:8A
I2t值:0.32A2s
通态电流临界上升率 dIT/dt:20A/μs
门极峰值电流 IGM:1A
门极峰值功率 PGM:2W
门极平均功率 PG(AV):0.1W
存储温度 TSTG:-40~+150℃
工作结温 Tj:-40~+125℃
1A高洁温可控硅 Z0107的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
MIN | MAX | |||
IGT | 门极触发电流 I-II-III | 5 | mA | |
门极触发电流 IV | 7 | |||
VGT | 门极触发电压 | 1.2 | V | |
VGD | 门极不触发电压 | 0.2 | ||
IH | 维持电流 | 10 | mA | |
IL | 擎住电流 I-III-IV | 10 | ||
擎住电流 II | 20 | |||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | 20 | V/μs | |
VTM | 通态压降 | 1.55 | V | |
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | 100 |