高洁温可控硅 BT138 TO-220C 四象限双向可控硅 12A可控硅BT138
高洁温可控硅 BT138的产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220C
高洁温可控硅 BT138的应用领域:
BT138双向可控硅应用于:加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、咖啡壶、电动工具、吸尘器等家用电器。
高洁温可控硅 BT138的极限值(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 12 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 95 | A |
I2t | I2t值 | 45 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50(I-II-III) | A/μs |
10(IV) | |||
IGM | 门极峰值电流 | 2 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 5 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 0.5 | |
Tstg | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
高洁温可控硅 BT138的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
D | E | F | |||
IGT | 门极触发电流 I-II-III | ≤5 | ≤10 | ≤25 | mA |
门极触发电流 IV | ≤10 | ≤25 | ≤70 | ||
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | ||
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |||
IH | 维持电流 | ≤10 | ≤30 | ≤30 | mA |
IL | 擎住电流 I-III-IV | ≤15 | ≤30 | ≤40 | |
擎住电流 II | ≤20 | ≤40 | ≤60 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥10 | ≥20 | ≥50 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V | ||
IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | ≤5 | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤1 | ≤1 | ≤1 | mA |