贴片晶闸管 BT136 TO-252 800V/4A高压双向可控硅 家电用可控硅
高压双向可控硅 BT136的产品特征：
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高，换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式：TO-252
高压双向可控硅 BT136的产品应用：
加热控制器
马达调速控制器
麻将机
搅拌机
直发器
面包机
高压双向可控硅 BT136的极限值(TCASE=25℃)：
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM：600/800V
通态均方根电流 IT(RMS)：4A
通态不重复浪涌电流 ITSM：25A
I2t值：3.1A2s
门极峰值电流 IGM：2A
门极峰值功率 PGM：5W
门极平均功率 PG(AV)：0.5W
存储温度 TSTG：-40~+150℃
工作结温 Tj：-40~+125℃
高压双向可控硅 BT136的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| D | E | |||
| IGT | 门极触发电流 I-II-III | ≤5 | ≤10 | mA |
| 门极触发电流 IV | ≤10 | ≤25 | ||
| VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | |
| VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | ||
| IH | 维持电流 | ≤10 | ≤15 | mA |
| IL | 擎住电流 I-III-IV | ≤10 | ≤15 | |
擎住电流 II | ≤15 | ≤20 | ||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥10 | ≤20 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V | |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤0.5 | ≤0.5 | mA | |
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