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三端双向可控硅 T835 TO-252 800V/8A 高压可控硅 T835可控硅替换

三端双向可控硅 T835的产品特征：

• NPNPN 五层结构的硅双向器件

• P 型对通扩散隔离

• 台面玻璃钝化工艺

• 背面多层金属电极

• 工作结温高，换向能力强

• 高电压变化率 dV/dt

• 大电流变化率 dI/dt

• 符合 RoHS 规范

• 封装形式：TO-252

三端双向可控硅 T835的应用领域：

        T835双向可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器。

三端双向可控硅 T835的极限值(T_CASE=25℃)：

• 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM：600/800V

• 通态均方根电流 I_T(RMS)：8A

• 通态不重复浪涌电流 I_TSM：80A

• I²t值：36A²s

• 通态电流临界上升率 dI_T/dt：50Aμs

• 门极峰值电流 I_GM：4A

• 门极平均功率 P_G(AV)：1W

• 存储温度 T_STG：-40~+150℃

• 工作结温 T_j：-40~+125℃

三端双向可控硅 T835的电特性：