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三端双向可控硅 T435 TO-220F
三端双向可控硅 T435 TO-220F
产品品牌:宇芯微
产品类型:双向可控硅
产品型号:T435
产品封装:TO-220F
产品标题:三端双向可控硅 T435 TO-220F 4A双向可控硅 马达高压可控硅
咨询热线:0769-89027776

产品详情


三端双向可控硅 T435 TO-220F 4A双向可控硅 马达高压可控硅



三端双向可控硅 T435的产品特征:

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高,换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式:TO-220F



三端双向可控硅 T435的应用领域:

        T435双向可控硅应用于:加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器。



三端双向可控硅 T435的极限参数(TCASE=25℃):

  • 断态重复峰值电压 VDRM/VRRM:600/800V

  • 通态均方根电流 IT(RMS):4A

  • 通态不重复浪涌电流 ITSM:30A

  • I2t值:5.1A2s

  • 通态电流临界上升率 dIT/dt:50Aμs

  • 门极峰值电流 IGM:4A

  • 门极峰值功率 PGM:4W

  • 门极平均功率 PG(AV):1W

  • 存储温度 TSTG:-40~+150℃

  • 工作结温 Tj:-40~+125℃



三端双向可控硅 T435的电特性:

符号
参数数值单位
IGT
门极触发电流≤35mA
VGT门极触发电压≤1.3V
VGD门极不触发电压≥0.2
IH维持电流≤35mA
IL擎住电流 I-III≤50

擎住电流 II

≤60
dVD/dt
断态电压临界上升率≥400V/μs
VTM通态压降≤1.55V
IDRM/IRRM

断态重复峰值电流

VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃

≤5μA

断态重复峰值电流

VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃

≤1mA


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