GM2326B SOT-23 200V 贴片式 N沟道增强型 MOS晶体管
GM2326B的极限值:
漏极-源极电压:200V
栅极-源极电压:±20V
漏极电流-连续:0.4A
漏极电流-脉冲:3A
总耗散功率:1300mW
结温:150℃
存储温度:-55~+150℃
GM2326B的电特性:
GM2326B的封装外形尺寸:
200VNMOS管 75N20 TO-220F
国产中低压MOS管 40P15 TO-252
150P04 TO-252 低压40VPMOS管
贴片小封装PMOS管 8P04 SOT89-3L
30VPMOS管 35P03 PDFN3X3-8L
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