增强型N沟道场效应晶体管 FIR200N04PG TO-220 功率MOS管
FIR200N04PG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 40 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 200 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 140 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 790 | |
| 功耗 | PD | 260 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1500 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR200N04PG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 40 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=40V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=40A | 3.3 | 4.0 | mΩ | |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V,ID=40A | 60 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | VDS=30V,VGS=0V,F=1.0MHz | 9600 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 890 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 530 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=30V,ID=1A VGS=10V,RGEN=2.5Ω | 21 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 37 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 75 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 40 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=30V,ID=30A,VGS=10V | 36 | nC | ||
| 栅漏电和密度 | Qgd | 56 |
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