85V增强型场效应管 FIR150N085ANFG TO-247 N沟道功率MOSFET
FIR150N085ANFG的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 85 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 210 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 150 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 850 | |
| 功耗 | PD | 330 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 2200 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR150N085ANFG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 85 | V | ||
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=85V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±200 | nA | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 静态漏源导通电阻(25℃) | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 3.2 | 4.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻(125℃) | 5 | 6.8 | ||||
| 正向跨导 | gfs | VDS=25V,ID=40A | 100 | 165 | S | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 12100 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 2000 | ||||
| 反向传输电容 | Crss | 480 | ||||
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=38V,ID=40A VGS=10V,RGEN=1.2Ω | 20 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 190 | ||||
| 关断延迟时间 | td(off) | 130 | ||||
| 开启下降时间 | tf | 120 | ||||
| 栅源电荷密度 | Qgs | VDS=60V,ID=40A,VGS=10V | 90 | 140 | nC | |
| 栅漏电和密度 | Qgd | 140 | 210 |
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