国产低压MOS管 5N10 SOT89-3L 100V/5A 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-09-11 11:04:15点击：6次

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  国产低压MOS管 5N10 SOT89-3L 100V/5A 贴片场效应管

  
  

  
  

  国产低压MOS管 5N10的管脚配置图：

  

  
  

  
  

  国产低压MOS管 5N10的产品特点：

  • V_DS=100V

  • I_D=5A

  • R_DS(ON)＜110mΩ@V_GS=10V

  • 封装：SOT89-3L

  
  

  
  

  国产低压MOS管 5N10的应用领域：

  • 锂电充电

  • 手机快充

  
  

  
  

  国产低压MOS管 5N10的极限参数：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  • 漏极-源极电压 V_DS：100V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±20V

  • 漏极电流-连续 I_D：5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：15A

  • 总耗散功率 P_D：3.5W

  • 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

  • 结到管壳的热阻 R_θJC：40℃/W

  • 存储温度 T_STG：-55~150℃

  • 工作结温 T_J：-55~150℃
    

  
  

  
  

  国产低压MOS管 5N10的电特性：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  

  
  

  
  

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