单向可控硅进行结构控制有哪些条件要求？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-07-12 16:35:08点击：6次

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  进行结构控制有哪些条件要求？单向可控硅为具有三个 PN 结的四层结构，由最外层的 P 层、N 层引出两个电极――阳 极 A 和阴极 K，由中间的 P 层引出控制极 G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引 出电极――控制极或触发极 G。SCR 或 MCR 为英文缩写名称。 　　

  

  从控制原理上可等效为一只 PNP 三极管和一只 NPN 三极管的连接电路， 两管的基极电 流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从 G、K 回路输入 NPN 管子的 基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。

  
  

  可控硅导通之后，它的导通状 态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通 状态。控制信号 UGK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制 作用。

  
  

  单向可控硅的导通需要两个条件： 　　

  
  

  1 、A、K 之间加正向电压； 　　

  
  

  2 、G、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。 　　

  若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 　　

  
  

  1、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 　　

  
  

  2、使 A、K 之间电压反向。 　　

  
  

  可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流 的话，则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。

  
  

  若用于交流电 路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到 来，因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因 A、 K 间电压反向，而保持于截止状态。 

  
  

  可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值和导通压降，很难有统一的标 1 准。可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。功率越大，所需触发电流也 越大。触发电压范围一般为 1.5V―3V 左右，触发电流为 10mA―几百 mA 左右。峰值触发 电压不宜超过 10V，峰值触发电流也不宜超过 2A。A、K 间导通压降为 1―2V。

  
  

  
  

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