达林顿芯片的静电防护措施有哪些？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-04-19 15:14:05点击：6次

• 的静电防护措施有哪些？除降低速度、压力、减少摩擦及接触频率，选用适当材料及形状，增大电导率等抑制措施外，还可采取下列措施：
  

  

  ①接地，即将金属导体与大地（接地装置）进行电气上的连接，以便将电荷泄漏到大地。此法适合于消除导体和电阻率在 108欧以下物体上的静电，而不宜用来消除绝缘体上的静电，因为绝缘体的接地容易发生火花放电，引起易燃易爆液体、气体的点燃或造成对电子设施的干扰。

  
  

  应使绝缘体与大地间保持106～109欧的电阻。仅供消除导体上静电用的接地，电阻值一般不宜超过 100～1000欧。非金属导体接地处应包上接触可靠的金属物或使用导电涂料，接触面积不小于 10厘米2。移动设备不能保持经常接地，接地操作应选在没有危险的场合和时间。

  
  

  ②搭接（或跨接）。将两个以上独立的金属导体进行电气上的连接，使其相互间大体上处于相同的电位。

  
  

  ③屏蔽。用接地的金属线或金属网等将带电的物体表面进行包覆，从而将静电危害限制到不致发生的程度。屏蔽措施还可防止电子设施受到静电的干扰。

  
  

  ④对几乎不能泄漏静电的绝缘体，采用抗静电剂以增大电导率，使静电易于泄漏。

  
  

  ⑤采用喷雾、洒水等方法，使环境相对湿度提高到60～70%，以抑制静电的产生，解决纺织厂等生产中静电的问题。

  
  

  
  

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