低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-20 16:05:53点击：6次

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  低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域

  
  

  
  

  低内阻场效应管 4N10的特点：

  • V_DS=100V

  • I_D=3.8A

  • R_DS(ON)＜240mΩ@V_GS=10V

  • 封装：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  低内阻场效应管 4N10的应用领域：

  • 负载开关

  • 电池保护

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  低内阻场效应管 4N10的极限值：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  • 漏极-源极电压 V_DS：100V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±20V

  • 漏极电流-连续 I_D：3.5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：8A

  • 总耗散功率 P_D：3.76W

  • 存储温度 T_STG：-55~150℃

  • 工作结温 T_J：-55~150℃

  • 结到环境的热阻 R_θJA：70℃/W

  • 结到管壳的热阻 R_θJC：30℃/W
    

  
  

  
  

  低内阻场效应管 4N10的电特性：

  (如无特殊说明，T_J=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	100			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A		210	240	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=0.5A		240	280
  VGS(th)	栅极开启电压	1	1.9	2.5	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=100V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=125℃			10
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		2.3		S
  Qg	栅极总电荷		9	18	nC
  Qgs	栅源电荷密度		2.3	4.6
  Qgd	栅漏电荷密度		1.1	2.5
  Ciss	输入电容		152	200	pF
  Coss	输出电容		17	20
  Crss	反向传输电容		10	15
  td(on)	开启延迟时间		5.2	10	ns
  tr	开启上升时间		6.8	12
  td(off)	关断延迟时间		14.5	28
  tf	开启下降时间		2.1	5

  
  

  
  

  低内阻场效应管 4N10的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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