10N65 10A/650V高压MOS管 MOS管10N65 国产场效应管型号

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-18 11:37:27点击：6次

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  10N65 10A/650V高压MOS管 MOS管10N65 国产场效应管型号

  
  

  
  

  国产场效应管型号 10N65的应用：

  • 不间断电源(UPS)

  • 功率因数补偿(PFC)

  
  

  
  

  国产场效应管型号 10N65的特点：

  • V_DS=650V

  • I_D=10A

  • R_DS(ON)＜0.8Ω@V_GS=10V

  • 封装：TO-220、TO-220F

  
  

  
  

  国产场效应管型号 10N65的引脚图：

  

  
  

  

  
  

  
  

  国产场效应管型号 10N65的极限参数：

  (如无特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDSS	漏极-源极电压	650	V
  VGSS	栅极-源极电压	±30
  ID	漏极电流-连续	10	A
  IDM	漏极电流-脉冲	38
  PD	总耗散功率 TC=25℃	65W(TO-220F) 147W(TO-220)	W
  EAS	单脉冲雪崩能量	562	mJ
  EAR	重复雪崩能量	45
  IAR	雪崩电流	7.5	A

  
  

  
  

  国产场效应管型号 10N65的电特性：

  (如无特殊要求，T_A=25℃)

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  V(BR)DSS	漏极-源极击穿电压	650			V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A		0.65	0.8	Ω
  VGS(th)	栅极开启电压	3		4	V
  IDSS	零栅压漏极电流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  	零栅压漏极电流 VDS=520V，VGS=0V，TJ=125℃			100
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  Qg	栅极电荷		35		nC
  Qgs	栅源电荷密度		7
  Qgd	栅漏电荷密度		18
  Ciss	输入电容		1264		pF
  Coss	输出电容		149
  Crss	反向传输电容		18
  td(on)	开启延迟时间		23		ns
  tr	开启上升时间		15
  td(off)	关断延迟时间		90
  tf	开启下降时间		30

  
  

  
  

  国产场效应管型号 10N65的参数特性曲线图：

  

  
  

  

  
  

  
  

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