mos管三个引脚怎么区分 mos管的作用介绍

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-16 10:41:34点击：6次

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  mos管三个引脚怎么区分 mos管的作用介绍

  
  

  
  

          MOS管概念

   

  　　MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

   

  　　MOS管工作原理

   

  　　MOS管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

  
  

          MOS管的性能参数

   

  　　优质的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下，能够看它能接受的最大电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号，我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。还要阐明的是，温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步，MOS管需求接受的电流也随着加强，提供近百A的电流曾经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安，高质量主板也开端为MOS管加装散热片了。

   

  　　mos管三个引脚怎么区分

  
  

   

          G极，不用说比较好认。

   

  　　S极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是；

   

  　　D极，不论是p沟道还是N沟道，是单独引线的那边。

   

  　　判定栅极G：将万用表拨至R&TImes;1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。

   

  　　判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

   

          MOS管如何快速判断与好坏及引脚性能

   

  　　1、用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。

   

  　　2、因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。

   

  　　3、利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。

   

  　　4、大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。

   

  　　5、大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源。以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。

   

  　　如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。

   

  

   

          管脚测定方法：

  　　①栅极G的测定：用万用表R&TImes;100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。

   

  　　②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2&TImes;10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：

   

  　　a．若读数由原来较大值变为0（0×10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。

   

  　　b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。

  
  

   

   

          MOS管的发热情况有：

  　　1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。

   

  　　2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

   

  　　3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

   

  　　4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

   

   

   

   

          MOS管作用

   

  　　MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。

   

  　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

   

  　　在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

  
  

  
  

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