60V/50A场效应管 50N06 贴片低内阻MOS 国产MOSFET

• 来源：宇芯电子 更新时间：2021-03-02 11:22:14点击：6次

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  60V/50A场效应管 50N06 贴片低内阻MOS 国产MOSFET

  
  

  
  

  贴片低内阻MOS 50N06的符号图：

  
  

  
  

  
  

  贴片低内阻MOS 50N06的应用：

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源
    

  
  

  
  

  贴片低内阻MOS 50N06的极限值：
  

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符号	参数	数值	单位
  VDS	漏极-源极电压	60	V
  VGS	栅极-源极电压	±20
  ID	漏极电流-连续 TC=25℃	58	A
  	漏极电流-连续 TC=100℃	30
  IDM	漏极电流-脉冲	90
  EAS	单脉冲雪崩能量	39.2	mJ
  IAS	雪崩电流	38	A
  PD	总耗散功率 TC=25℃	45	W
  TSTG	存储温度	-55~150	℃
  TJ	工作结温	-55~150
  RθJA	结到环境的热阻	62	℃/W
  RθJC	结到管壳的热阻	2.8

  
  

  
  

  贴片低内阻MOS 50N06的电特性：

  （如无特殊说明，T_J=25℃）

  符号	参数	MIN值	TYP值	MAX值	单位
  BVDSS	漏极-源极击穿电压	60	65		V
  RDS(ON)	静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A		11	16	mΩ
  	静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A		16	20
  VGS(th)	栅极开启电压	1.2	1.8	2.5	V
  IGSS	栅极漏电流			±100	nA
  gfs	正向跨导		45		S
  Qg	栅极总电荷		19.3		nC
  Qgs	栅源电荷密度		7.1
  Qgd	栅漏电荷密度		7.6
  Ciss	输入电容		2423		pF
  Coss	输出电容		145
  Crss	反向传输电容		97
  td(on)	开启延迟时间		7.2		ns
  tr	开启上升时间		50
  td(off)	关断延迟时间		36.4
  tf	开启下降时间		7.6

  
  

  
  

  贴片低内阻MOS 50N06的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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