可控硅BTA16-800CW和BTA16-800BW有什么区别?
可控硅BTA16-800CW和BTA16-800BW的区别是触发电流IGT不一样,BTA16-800CW的触发电流IGT≤35mA,BTA16-800BW的触发电流IGT≤50mA。以下是BTA16的具体参数。
可控硅 BTA16的管脚图:
可控硅 BTA16的应用:
可控硅 BTA16应用于:加热控制器、调速控制器、洗衣机、搅拌机、果汁机、电动工具、吸尘器等家用电器。
可控硅 BTA16的极限参数(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 16 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 160 | |
I2t | I2t 值 | 140 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
可控硅 BTA16的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
SW | CW | BW | |||
IGT | 门极触发电流 | ≤10 | ≤35 | ≤50 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | ||
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |||
IH | 维持电流 | ≤15 | ≤30 | ≤50 | mA |
IL | 擎住电流 I-III | ≤25 | ≤50 | ≤70 | |
擎住电流 II | ≤30 | ≤60 | ≤80 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥40 | ≥500 | ≥1000 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
可控硅 BTA16的参数特性曲线图:
可控硅 BTA16的封装外形尺寸:
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