国产100-8替代 微触发可控硅 MCR100-8 TO-92 可控硅引脚图

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-12-16 10:14:13点击：6次

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  国产100-8替代 微触发可控硅 MCR100-8 TO-92 可控硅引脚图

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的引脚图：

  

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的应用：

         微触发可控硅 MCR100-8应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动等等。

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-92
    

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的极限参数（T_CASE=25℃）：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------  600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ---------------------------------------------  0.8A

  • 通态平均电流 I_T(AV) -------------------------------------------------  0.5A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ------------------------------------------  8A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt -----------------------------------------  50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM ---------------------------------------------------  0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM --------------------------------------------------  0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) -----------------------------------------------  0.1W

  • 存储温度 T_STG ------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ----------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的电特性：

  符号	参数	数值	单位
  IGT	门极触发电流	10（MIN值） 200（MAX值）	μA
  VGT	门极触发电压	0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流	3	mA
  IL	擎住电流	4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10	V/μs
  VTM	通态压降	1.5	V

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的特性曲线图：

  

  
  

  
  

  微触发可控硅 MCR100-8的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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