T435 4A双向可控硅 T435 TO-252 贴片可控硅
贴片可控硅 T435的应用领域:
T435可控硅应用于:加热控制器、马达调速控制器、麻将机、直发器、搅拌机、面包机等家用电器。
贴片可控硅 T435的引脚排列图:
贴片可控硅 T435的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-252
贴片可控硅 T435的极限值(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 30 | |
I2t | I2t 值 | 5.1 | A2s |
dTI/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
PGM | 门极峰值功率 | 4 | W |
PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+125 |
贴片可控硅 T435的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
IGT | 门极触发电流 | ≤35 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
IH | 维持电流 | ≤35 | mA |
IL | I-III | ≤50 | |
II | ≤60 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥400 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
贴片可控硅 T435的封装外形尺寸:
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