达林顿芯片半导体器件的场效应管与双极性晶体管的比较？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-12 14:29:43点击：6次

•         1、达林顿芯片半导体器件的场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

  

          2、场效应管是利用多数载流子导电，而晶体管是既利用多数载流子，也利用少数载流子导电，由于少数载流子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。

  
  

          3、场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负，因此灵活性比晶体管好。

  
  

          4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

  
  

          5、场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。

  
  

          6、晶体管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百mΩ，使用场效应管做电子开关的效率比晶体管高。

  
  

  
  

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