低内阻MOS管 EMF02P02H EDFN5X6 P沟道场效应管
低内阻MOS管 EMF02P02H的极限值:
参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
漏极-源极电压 | BVDSS | -20 | V |
栅极-源极电压 | VGS | ±12 | |
漏极电流-连续 TC=25℃ | ID | -100 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | -73 | ||
漏极电流-脉冲 | IDM | -400 | |
雪崩电流 | IAS | -100 | |
雪崩能量 | EAS | 500 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | 250 | |
功耗 TC=25℃ | PD | 69 | W |
功耗 TC=100℃ | 27 | ||
工作结温和存储温度范围 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
低内阻MOS管 EMF02P02H的引脚图:
低内阻MOS管 EMF02P02H的电特性:
(如无特殊说明,TJ=25℃)
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
栅极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | -20 | V | ||
栅极开启电压 | VGS(th) | -0.4 | -0.6 | -1.2 | |
栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-12V,VGS=0V,TJ=125℃ | -10 | ||||
静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | RDS(ON) | 2.4 | 2.7 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 2.7 | 3.2 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-20A | 3.4 | 4.1 | |||
正向跨导 | gfs | 65 | S | ||
输入电容 | Ciss | 11116 | pF | ||
输出电容 | Coss | 1303 | |||
反向传输电容 | Crss | 592 | |||
栅源电荷密度 | Qgs | 18 | nC | ||
栅漏电荷密度 | Qgd | 16 | |||
开启延迟时间 | td(on) | 20 | ns | ||
开启上升时间 | tr | 55 | |||
关断延迟时间 | td(off) | 270 | |||
开启下降时间 | tf | 100 |
低内阻MOS管 EMF02P02H的封装外形尺寸:
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