达林顿芯片的半导体器件场效应晶体管有哪几种？

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-05 16:57:52点击：6次

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          的半导体器件场效应晶体管有哪几种？场效应晶体管依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种：

  

          1、结型场效应管(用PN结构成栅极)；

  
  

          2、MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极,见金属－绝缘体－半导体系统）；

  
  

          3、MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。

  
  

          在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。

  
  

  
  

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