P沟道MOSFET GM4375 SOT-23 MOS场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-04 17:38:20点击：6次

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  P沟道MOSFET GM4375 SOT-23 MOS场效应管

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM4375的引脚图：
  

  

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM4375的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-40	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续	ID	-3	A
  漏极电流-脉冲	IDM	-5
  总耗散功率 TA=25℃	PD	1000	mW
  热阻	RθJA	150	℃/W
  结温和存储温度	TJ,Tstg	150℃，-55~+150℃

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM4375的电特性：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	-40			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1		-3
  内附二极管正向压降	VSD			-1
  零栅压漏极电流	IDSS			-1	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-5A,VGS=-10V	RDS(ON)		75	80	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-4A,VGS=-4.5V			115	120
  输入电容	CISS		573		pF
  共源输出电容	COSS		110
  开启时间	t(on)			55	ns
  关断时间	t(off)			120

  
  

  
  

  P沟道MOSFET GM4375的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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