国产可控硅100-8 晶闸管 MCR100-8 SOT-23-3L 贴片可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-11-04 10:03:38点击：6次

• 
  

  国产可控硅100-8 晶闸管 MCR100-8 SOT-23-3L 贴片可控硅

  
  

  
  

  贴片可控硅 MCR100-8的引脚图：

  

  
  

  
  

  贴片可控硅 MCR100-8的应用领域：
  

          MCR100-8单向可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动...

  
  

  
  

  贴片可控硅 MCR100-8的特点：
  

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  贴片可控硅 MCR100-8的极限参数(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM --------------------------------------------  600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) -----------------------------------------------------  0.8A

  • 通态平均电流 I_T(AV) ---------------------------------------------------------  0.5A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM --------------------------------------------------  8A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt -------------------------------------------------  50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM -----------------------------------------------------------  0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM ----------------------------------------------------------  0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) --------------------------------------------------------  0.1W

  • 存储温度 T_STG ---------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ------------------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  贴片可控硅 MCR100-8的电特性：
  

  符号	参数	最小值	最大值	单位
  IGT	门极触发电流	10	200	μA
  VGT	门极触发电压		0.8	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流		3	mA
  IL	擎住电流		4
  dVD/dt	断态电压临界上升率	10		V/μs
  VTM	通态压降		1.5	V

  
  

  
  

  贴片可控硅 MCR100-8的参数特性曲线：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com