100VN沟道MOS管 EMBA0N10G SOP-8 场效应管 EMBA0N10G

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-23 15:51:58点击：6次

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  100VN沟道MOS管 EMBA0N10G SOP-8 场效应管 EMBA0N10G

  
  

  
  

  100VN沟道MOS管 EMBA0N10G的引脚图：
  

  

  
  

  
  

  100VN沟道MOS管 EMBA0N10G的极限：

  (如无其他说明，T_A=25℃)
  

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	100	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TA=25℃	ID	5	A
  漏极电流-连续 TA=100℃		3.3
  漏极电流-脉冲	IDM	20
  雪崩电流	IAS	5
  雪崩能量	EAS	1.25	mJ
  重复雪崩能量	EAR	0.625
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  结温，存储温度范围	Tj，Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  100VN沟道MOS管 EMBA0N10G的电特性：
  

  (如无其他说明，T_A=25℃)

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	100			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.8	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=70V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A	RDS(ON)		90	100	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=5V,ID=3A			100	125
  正向跨导	gfs		9		S
  输入电容	Ciss		1490		pF
  输出电容	Coss		76
  反向传输电容	Crss		63
  栅源电荷密度	Qgs		3.5		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		9.2
  开启延迟时间	td(on)		10		nS
  开启上升时间	tr		25
  关断延迟时间	td(off)		20
  开启下降时间	tf		20

  
  

  
  

  100VN沟道MOS管 EMBA0N10G的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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