N沟道MOS管 EMB07N03V EDFN 3X3 小封装场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-20 16:02:30点击：6次

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  N沟道MOS管 EMB07N03V EDFN 3X3 小封装场效应管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMB07N03V的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMB07N03V的引脚图：
  

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	24	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		17
  漏极电流-脉冲	IDM	96
  雪崩电流	IAS	15
  雪崩能量	EAS	11.25	mJ
  重复雪崩能量	EAR	5.62
  功耗 TC=25℃	PD	25	W
  功耗 TC=100℃		8
  功耗 TA=25℃		2.5
  功耗 TA=100℃		1
  工作结温/存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMB07N03V的电特性：

  如无特殊说明，T_J=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.5	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=20V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=14A	RDS(ON)		5.5	7	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A			6.5	9
  正向跨导	gfs		25		S
  输入电容	Ciss		1014		pF
  输出电容	Coss		163
  反向传输电容	Crss		93
  栅源电荷密度	Qgs		3.3		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		3.5
  开启延迟时间	td(on)		10		nS
  开启上升时间	tr		10
  关断延迟时间	td(off)		20
  开启下降时间	tf		15

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMB07N03V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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