-60V MOSFET GMF25P06 TO-220F P沟道MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-19 11:44:06点击：6次

• 
  

  -60V MOSFET GMF25P06 TO-220F P沟道MOS管

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GMF25P06的特点：

  • 超低导通电阻

  • 快速开关能力

  • 封装形式：TO-220F
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GMF25P06的应用领域：
  

  • 开关电源

  • DC-DC 变换和不间断电源

  • 脉宽调制电机控制

  • 普通开关应用
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GMF25P06的内部结构：

  

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GMF25P06的极限值：
  

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：-60V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±20V

  • 漏极电流-连续(T_C=25℃) I_D：-25A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：-100A

  • 总耗散功率 (T_C=25℃) P_TOT：40W

  • 热阻 R_θJA：62.5℃/W

  • 结温/存储温度 T_J，T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GMF25P06的电特性：
  

  (如无特殊说明，T_A=25℃)
  

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	BVDSS	-60			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.6	-2.5
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-60V	IDSS			-500	uA
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-12.5A,VGS=-10V	RDS(ON)		45	60	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-12.5A,VGS=-4V			80	110
  源极-漏极电流	ISD			-25	A
  内附二极管正向压降	VSD			-3	V
  输入电容	CISS		2000		pF
  共源输出电容	COSS		700
  栅极电荷密度	Qg		7		nC
  开启延迟时间	td(on)		15		ns
  开启上升时间	tr		80
  关断延迟时间	td(off)		190
  开启下降时间	tf		90

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GMF25P06的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

  ---

  声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；邮箱：limeijun@yushin88.com