P沟道场效应管 EMB09P03H EDFN 5X6 贴片MOS管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-16 15:24:23点击：6次

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  P沟道场效应管 EMB09P03H EDFN 5X6 贴片MOS管

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB09P03H的引脚图：
  

  

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB09P03H的极限参数：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	+25
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	-70	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		-50
  漏极电流-脉冲	IDM	-140
  雪崩电流	IAS	-20
  雪崩能量	EAS	20	mJ
  功耗 TC=25℃	PD	50	W
  功耗 TC=100℃		26
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB09P03H的电特性：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-30			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±25V				±500
  零栅压漏极电流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,TJ=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-25A	RDS(ON)		8.5	9.5	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A			13.5	17
  正向跨导	gfs		24		S
  输入电容	Ciss		3067		pF
  输出电容	Coss		453
  反向传输电容	Crss		398
  栅源电荷密度	Qgs		6.5		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		10
  开启延迟时间	td(on)		20		nS
  开启上升时间	tr		18
  关断延迟时间	td(off)		55
  开启下降时间	tf		10

  
  

  
  

  贴片MOS管 EMB09P03H的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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