可控硅TYN840 TO-220B 大电流单向可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-14 11:56:07点击：6次

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  可控硅TYN840 TO-220B 大电流单向可控硅

  
  

  
  

  可控硅TYN840的应用领域：

          TYN840可控硅应用于：电加热控制、电极调速、交流电开关、交直流逆变

  
  

  
  

  可控硅TYN840的引脚图：

  

  
  

  
  

  可控硅TYN840的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-220B

  
  

  
  

  可控硅TYN840的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ----------------------------------  800V

  • 通态平均电流 I_T(AV) -----------------------------------------------  25A

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) -------------------------------------------  40A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ----------------------------------------  460A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt ---------------------------------------  100A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM -------------------------------------------------  4A

  • 门极平均功率 P_G(AV) ----------------------------------------------  1W

  • 存储温度 T_STG -----------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j --------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  可控硅TYN840的电特性：

  符号	参数	最小值	最大值	单位
  IGT	门极触发电流	5	35	mA
  VGT	门极触发电压		1.3	V
  VGD	门极不触发电压	0.2
  IH	维持电流		75	mA
  IL	擎住电流		150
  dVD/dt	断态电压临界上升率	600		V/μs
  VTM	通态压降		1.6	V
  IDRM/IRRM	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃		10	μA
  	断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃		4	mA

  
  

  
  

  可控硅TYN840的热阻：

  • 结到管壳的热阻(AC) Rth(j-c)：0.8℃/W

  • 结到环境的热阻 Rth(j-a)：60℃/W
    

  
  

  
  

  可控硅TYN840的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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