N沟道MOS管 EMA06N03AN 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-10-09 11:33:43点击：6次

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  N沟道MOS管 EMA06N03AN 贴片场效应管

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMA06N03AN的引脚图：

  

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMA06N03AN的极限值：

  除非另有规定，T_C=25℃
  

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	25	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 TC=25℃	ID	80	A
  漏极电流-连续 TC=100℃		50
  漏极电流-脉冲	IDM	170
  雪崩电流	IAS	53
  雪崩能量	EAS	140	mJ
  重复雪崩能量	EAR	40
  功耗 TC=25℃	PD	69	W
  功耗 TC=100℃		27
  结温和存储温度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMA06N03AN的电特性：

  除非另有规定，T_C=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	25			V
  栅极开启电压	VGS(th)	1	1.5	3
  栅极漏电流	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A	RDS(ON)		5.3	6	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=5V,ID=24A			7.6	9.5
  正向跨导	gfs		25		S
  输入电容	Ciss		1800		pF
  输出电容	Coss		480
  反向传输电容	Crss		220
  栅源电荷密度	Qgs		4.8		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		12.5
  开启延迟时间	td(on)		20		nS
  开启上升时间	tr		15
  关断延迟时间	td(off)		50
  开启下降时间	tf		20

  
  

  
  

  N沟道MOS管 EMA06N03AN的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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