P沟道MOS管 GM2307 SOT-23 贴片场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-30 10:38:11点击：6次

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  P沟道MOS管 GM2307 SOT-23 贴片场效应管

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2307的特点：

  • 低导通电阻和最大直流电流能力

  • 超高元胞密度设计

  • 封装形式：SOT-23
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2307的应用领域：

  • 笔记本电源管理

  • 便携式设备

  • 电池电源系统

  • DC/DC变换

  • 负载开关应用
    

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2307的内部结构：

  

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2307的极限值：

  参数	符号	数值	单位
  漏极-源极电压	BVDSS	-30	V
  栅极-源极电压	VGS	±20
  漏极电流-连续 (TA=25℃)	ID	-3	A
  漏极电流-脉冲	IDM	-12
  总耗散功率 (TA=25℃)	PD	1.04	W
  总耗散功率 (TA=70℃)		0.67
  热阻	RθJA	120	℃/W
  结温/存储温度	TJ,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  P沟道MOS管 GM2307的电特性：

  如无特殊说明，T_A=25℃

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压 ID=-250uA,VGS=0V	BVDSS	-30			V
  栅极开启电压 ID=-250uA,VGS=VDS	VGS(th)	-1		-3
  内附二极管正向压降 ISD=-1A,VGS=0V	VSD			-1.2	V
  零栅压漏极电流 VGS=0V,VDS=-30V	IDSS			-1	uA
  栅极漏电流 VGS=±10V,VDS=0V	IGSS			±100	nA
  静态漏源导通电阻 ID=-3.2A,VGS=-10V	RDS(ON)		58	70	mΩ
  静态漏源导通电阻 ID=-2.5A,VGS=-4.5V			75	95
  输入电容 VGS=0V,VDS=-15V，f=1MHz	CISS		460		pF
  输入电容 VGS=0V,VDS=-15V，f=1MHz	COSS		74
  栅源电荷密度 VDS=-15V,ID=-1.7A,VGS=-4.5V	Qgs		2.8		nC
  栅漏电荷密度 VDS=-15V,ID=-1.7A,VGS=-4.5V	Qgd		2.3
  开启延迟时间 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	td(on)		33		ns
  开启上升时间 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	tr		17
  关断延迟时间 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	td(off)		39
  关断下降时间 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	tf		5

  
  

  
  

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