30V杰力MOS管 EMB09N03H EDFN5X6 中低压场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-25 09:53:02点击：6次

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  30V杰力MOS管 EMB09N03H EDFN5X6 中低压场效应管

  
  

  
  

  30V杰力MOS管 EMB09N03H的引脚图：

  

  
  

  
  

  30V杰力MOS管 EMB09N03H的极限值：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)
  

  参数/测试条件		符号	数值	单位
  栅极-源极电压		VGS	±20	V
  漏极-源极电压		BVDSS	30
  漏极电流-连续	TC=25℃	ID	50	A
  	TC=100℃		35
  漏极电流-脉冲		IDM	140
  雪崩电流		IAS	37.5
  雪崩能量	L=0.1mH,ID=37.5A,RG=25Ω	EAS	70	mJ
  重复雪崩能量	L=0.05mH	EAR	15
  功耗	TC=25℃	PD	50	W
  	TC=100℃		20
  工作结温和存储温度范围		Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  30V杰力MOS管 EMB09N03H的电特性：

  (如无特殊说明，T_C=25℃)

  参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=250μA	30			V
  栅极开启电压	VGS(TH)	VDS=VGS,ID=250μA	1	1.7	3
  栅极漏电流	IGSS	VDS=0V,VGS=±20V			±100	nA
  零栅压漏极电流	IDSS	VDS=24V,VGS=0V			1	μA
  		VDS=20V,VGS=0V,TJ=125℃			25
  静态漏源导通电阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=25A		7.5	9	mΩ
  		VGS=4.5V,ID=15A		11	13.5
  正向跨导	gfs	VDS=5V,ID=20A		20		S
  输入电容	Ciss	VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz		828		pF
  输出电容	Coss			196
  反向传输电容	Crss			174
  栅源电荷密度	Qgs	VDS=15V,VGS=10V,ID=25A		2.8		nC
  栅漏电荷密度	Qgd			7.4
  开启延迟时间	td(on)	VDS=15V,ID=20A,VGS=10V,RGS=2.7Ω		8		ns
  开启上升时间	tr			18
  关断延迟时间	td(off)			20
  开启下降时间	tf			3

  
  

  
  

  30V杰力MOS管 EMB09N03H的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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