可控硅BTB24 大电流可控硅 BTB24 晶闸管
大电流可控硅 BTB24的特点:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高,换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合 RoHS 规范
封装形式:TO-220B、TO-263
大电流可控硅 BTB24的应用领域:
加热控制器、彩灯控制器、电饭煲、燃气点火器、电风扇调速器等...
大电流可控硅 BTB24的引脚图:
大电流可控硅 BTB24的极限值(TCASE=25℃):
符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通态均方根电流 | 25 | A |
ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 250 | |
I2t | I2t 值 | 340 | A2s |
dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作结温 | -40~+150 |
大电流可控硅 BTB24的电特性:
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
CW | BW | |||
IGT | 门极触发电流 | ≤35 | ≤50 | mA |
VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V | |
VGD | 门极不重复电压 | ≥0.2 | ||
IH | 维持电流 | ≤50 | ≤75 | mA |
IL | 擎住电流 I-III | ≤60 | ≤80 | |
擎住电流 II | ≤80 | ≤90 | ||
dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | ≥1000 | V/μs |
VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
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