PMOS管 EMF21P02V EDFN3X3 -20V场效应管

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-09-03 16:28:34点击：6次

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  PMOS管 EMF21P02V EDFN3X3 -20V场效应管

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的引脚图：

  

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的极限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏极-源极电压 BV_DSS：-20V

  • 栅极-源极电压 V_GS：±12V

  • 漏极电流-连续(T_A=25℃) I_D：-14A

  • 漏极电流-连续(T_A=70℃) I_D：-10.5A

  • 漏极电流-脉冲 I_DM：-56A

  • 功耗(T_A=25℃) P_D：2.5A

  • 功耗(T_A=70℃) P_D：1.25A

  • 结温和存储温度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的电特性(除非有特殊要求，T_J=25℃)：

  参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
  漏极-源极击穿电压	V(BR)DSS	-20			V
  栅极开启电压	VGS(th)	-0.3	-0.75	-1.2
  栅极漏电流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-9A	RDS(ON)		16	21	mΩ
  静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-5A			19	25
  静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-3A			26	40
  正向跨导	gfs		22		S
  输入电容	Ciss		3100		pF
  输出电容	Coss		460
  反向传输电容	Crss		413
  栅源电荷密度	Qgs		2.2		nC
  栅漏电荷密度	Qgd		5.7
  开启延迟时间	td(on)		20		nS
  开启上升时间	tr		50
  关断延迟时间	td(off)		95
  开启下降时间	tf		60

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的封装外形尺寸：

  

  
  

  
  

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