BT169可控硅引脚图 单向可控硅 BT169

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-19 10:03:04点击：6次

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  BT169可控硅引脚图 单向可控硅 BT169

  
  

  
  

  单向可控硅 BT169的应用领域：

          BT169可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动等。

  
  

  
  

  单向可控硅 BT169的引脚图：

  

  
  

  
  

  单向可控硅 BT169的特点：

  • PNPN 四层结构的硅单向器件

  • 门极灵敏触发

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装外形：SOT-23-3L、SOT-89-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  单向可控硅 BT169的极限参数(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ---------------------------------- 600/800V

  • 通态平均电流 I_T(AV) ----------------------------------------------- 0.5A

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ------------------------------------------- 0.8A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ----------------------------------------- 8A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt ---------------------------------------- 50A/μs

  • 门极峰值电流 I_GM -------------------------------------------------- 0.2A

  • 门极峰值功率 P_GM -------------------------------------------------- 0.5W

  • 门极平均功率 P_G(AV) ----------------------------------------------- 0.1W

  • 存储温度 T_STG ------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_j ----------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  单向可控硅 BT169的电特性：

  • 门极触发电流 I_GT --------------------------------------- 10~200μA

  • 门极触发电压 V_GT -------------------------------------- 0.8V

  • 门极不触发电压 V_GD ----------------------------------- 0.2V

  • 维持电流 I_H ---------------------------------------------- 3mA

  • 擎住电流 I_L ---------------------------------------------- 4mA

  • 断态电压临界上升率 dV_D/dt --------------------------- 10V/μs

  • 通态压降 V_TM ------------------------------------------- 1.5V
    

  
  

  
  

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