双向可控硅 BTA41-800B TO-3P 大芯片国产可控硅

• 来源：宇芯电子 更新时间：2020-08-12 10:49:52点击：6次

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  双向可控硅 BTA41-800B TO-3P 大芯片国产可控硅

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA41-800B的应用领域：

          BTA41-800B可控硅应用于：加热控制器、交流马达调速控制器、固态继电器、电动工具、热水器、按摩器、功率补偿等。

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA41-800B的引脚图：

  

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA41-800B的特点：
  

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高，换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式：TO-3P
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA41-800B的极限值(T_CASE=25℃)：

  • 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM ------------------------------------- 600/800V

  • 通态均方根电流 I_T(RMS) ---------------------------------------------- 40A

  • 通态不重复浪涌电流 I_TSM ------------------------------------------- 400A

  • 通态电流临界上升率 dI_T/dt ------------------------------------------ 50A/us

  • 门极峰值电流 I_GM ---------------------------------------------------- 8A

  • 门极平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------- 1W

  • 存储温度 T_STG --------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作结温 T_J -----------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  双向可控硅 BTA41-800B的电特性：

  符号	参数	数值		单位
  		CW	BW
  IGT	门极触发电流	≤35	≤50	mA
  VGT	门极触发电压	≤1.3		V
  VGD	门极不触发电压	≥0.2
  IH	维持电流	≤50	≤75	mA
  IL	擎住电流 I-III	≤60	≤80
  	擎住电流 II	≤80	≤100
  dVD/dt	断态电压临界上升率	≥500	≥1000	V/μs
  VTM	通态压降	≤1.55		V

  
  

  
  

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